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小米、華為、比亞迪齊刷刷入股陶瓷企業(yè)，盯上

近日，企查查APP顯示，浙江德匯電子陶瓷有限公司發(fā)生工商變更，新增北京小米智造股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙）等為股東。注冊資本由約5021.58萬人民幣增至約7476.57萬人民幣。
 
幾乎同一時(shí)間，華為旗下深圳哈勃科技投資合伙企業(yè)（有限合伙）入股南京中江新材料科技有限公司，后者注冊資本由3000萬人民幣增至3529.41萬人民幣，哈勃將持有中江科易15%股權(quán)。
 
早在今年2月，比亞迪、江蘇富樂華半導(dǎo)體科技股份有限公司等同時(shí)入股廈門鉅瓷科技有限公司。

小米、華為、比亞迪入股的3家企業(yè)有何來歷？

公開資料顯示，德匯陶瓷成立于2013年，是一家專注于功率器件用陶瓷封裝基板研制的高新技術(shù)企業(yè)。在技術(shù)領(lǐng)域，德匯陶瓷有著深厚的積累，已擁有多項(xiàng)核心技術(shù)，如陶瓷基板、線路板、金屬層、陶瓷基座、焊料層等。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于IGBT模塊、5G射頻器件、光通訊器件、高功率LED、半導(dǎo)體激光器、半導(dǎo)體制冷器等領(lǐng)域。2022年4月紹興德匯陶瓷已經(jīng)建成年產(chǎn)144萬片功率半導(dǎo)體模塊用高性能陶瓷覆銅板項(xiàng)目。公司逐步建造高性能陶瓷金屬化及其電子元器件的生產(chǎn)基地，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。目前，德匯陶瓷已實(shí)現(xiàn)AMB陶瓷封裝基板量產(chǎn)化出貨，其AMB-Si3N4已向國內(nèi)主要頭部功率模塊企業(yè)批量出貨；AMB-AlN已在軌道交通領(lǐng)域進(jìn)行了驗(yàn)證，有望實(shí)現(xiàn)對同類進(jìn)口產(chǎn)品的替代。
 
中江新材成立于2012年8月，是一家研發(fā)、生產(chǎn)氧化鋁和氮化鋁覆銅陶瓷基板企業(yè)。經(jīng)營范圍含陶瓷材料研發(fā)，陶瓷制品、光電子器件、其他電子元器件及配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售等。
 
鉅瓷科技成立于2016年12月27日，是一家致力于高品級氮化鋁粉體及陶瓷制品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的創(chuàng)新型高科技企業(yè)，其主要產(chǎn)品有高純氮化鋁粉體、氮化鋁造粒粉、氮化鋁填料粉以及注射成形復(fù)雜精密氮化鋁陶瓷制品四大系列。

三大咖意欲何為？

依據(jù)德匯陶瓷、中江新材、鉅瓷科技三家企業(yè)的公開資料，我們可以提取出一些主要的關(guān)鍵詞：
 
氮化鋁、氮化硅、陶瓷基板。
 
再看小米、華為、比亞迪的身份，小米與華為是通訊行業(yè)的大佬，同時(shí)小米造車正在全力沖刺，與比亞迪又同屬新能源汽車陣營。
 
氮化鋁、氮化硅是目前最受關(guān)注的陶瓷基板原材料，陶瓷基板又是新一代通訊、新能源汽車電子器件最受矚目的封裝材料。如此看來，小米、華為、比亞迪可能就是奔著“陶瓷基板”來的。

 

陶瓷基板——高密度集成散熱首選

 

在新能源及新一代通訊行業(yè)，隨著微電子信息技術(shù)、大規(guī)模集成電路（LSI）、多芯片組件（MCM）和微機(jī)電系統(tǒng)（MENS）等技術(shù)的迅速發(fā)展，對電子整機(jī)的要求越來越高，這種要求越來越迫切，促使它們朝著微型化、便攜式、高性能等方向發(fā)展。高密度集成是實(shí)現(xiàn)上述功能的最有效解決方案，高密度集成可以將各種電子設(shè)備復(fù)雜的功能集成到更小的組件中，而實(shí)現(xiàn)高密度集成的關(guān)鍵是解決元器件的散熱問題。對于電子器件而言，通常溫度每升高10°C，器件有效壽命就降低30%~50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展功率器件的技術(shù)瓶頸。
以大功率LED封裝為例，由于輸入功率的70%~80%轉(zhuǎn)變成為熱量（只有約20%~30%轉(zhuǎn)化為光能），且LED芯片面積小，器件功率密度很大（大于100W/cm2），因此散熱成為大功率LED封裝必須解決的關(guān)鍵問題。如果不能及時(shí)將芯片發(fā)熱導(dǎo)出并消散，大量熱量將聚集在LED內(nèi)部，芯片結(jié)溫將逐步升高，一方面使LED性能降低（如發(fā)光效率降低、波長紅移），另一方面將在LED器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力，引發(fā)一系列可靠性問題（如使用壽命、色溫變化等）。
 
伴隨著功率器件（包括LED、LD、IGBT、CPV等）不斷發(fā)展，采用高導(dǎo)熱材料制作電路基板是實(shí)現(xiàn)微電路散熱的有效方法之一。
 
目前常用電子封裝基板主要可分為高分子基板、金屬基板（金屬核線路板，MCPCB）和陶瓷基板幾類。對于功率器件封裝而言，封裝基板除具備基本的布線（電互連）功能外，還要求具有較高的導(dǎo)熱、耐熱、絕緣、強(qiáng)度與熱匹配性能。因此，高分子基板和金屬基板使用受到很大限制；而陶瓷材料本身具有熱導(dǎo)率高、耐熱性好、高絕緣、高強(qiáng)度、與芯片材料熱匹配等性能，非常適合作為功率器件封裝基板，目前已在半導(dǎo)體照明、激光與光通信、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

 

氮化鋁、氮化硅陶瓷基板及其在新能源汽車中的應(yīng)用

 

目前陶瓷基板的主要材料以氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）和氮化硅（Si3N4）三類為主。氧化鋁陶瓷基板價(jià)格低廉，生產(chǎn)工藝成熟，目前產(chǎn)量最大，應(yīng)用面最廣。但是，氧化鋁陶瓷基板的導(dǎo)熱性能已無法滿足大功率芯片的散熱要求。綜合來看，氮化鋁陶瓷基板與氮化硅陶瓷基板最具發(fā)展前景。

 

氮化鋁基板
 
氮化鋁陶瓷的各項(xiàng)性能優(yōu)異，尤其是高熱導(dǎo)率的特點(diǎn)，其理論熱導(dǎo)率可達(dá)320W/（m·K），其商用產(chǎn)品熱導(dǎo)率一般為180W/（m·K）~260W/（m·K），使其能夠用于高功率、高引線和大尺寸芯片封裝基板材料。
此外，氮化鋁陶瓷還具較高的機(jī)械強(qiáng)度及化學(xué)穩(wěn)定性，能夠在較惡劣的環(huán)境下保持正常的工作狀態(tài)。正是因?yàn)榈X陶瓷具有諸多的優(yōu)良性能，氮化鋁陶瓷會(huì)在眾多陶瓷基板材料中脫穎而出，成為新一代先進(jìn)陶瓷封裝材料的代表產(chǎn)品。
 
汽車LED大燈的工作溫度是極其高的，功率越大，溫度越高，亮度功率是形成正比的，想要提高亮度只能通過精細(xì)的冷卻設(shè)計(jì)或者散熱器件的加大，但是效果并不理想，能夠使其達(dá)到理想效果的只有氮化鋁陶瓷基板。高導(dǎo)熱率和優(yōu)良的絕緣性，與燈珠更匹配的熱膨脹技術(shù)等優(yōu)點(diǎn)，讓氮化鋁陶瓷基板再次“脫穎而出”。
 
氮化硅基板
 
氮化硅被認(rèn)為是綜合性能最好的陶瓷基板材料，雖熱導(dǎo)率不如氮化鋁，但其抗彎強(qiáng)度、斷裂韌性都可達(dá)到氮化鋁的2倍以上。同時(shí)，氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體碳化硅相近，使得其成為碳化硅導(dǎo)熱基板材料的首選。氮化硅基板在新能源汽車中的應(yīng)用不可阻擋！
（1）IGBT
 
新能源車的電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分，最核心的元件就是IGBT。IGBT約占電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)成本的一半，而電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，IGBT的質(zhì)量很大一部分也決定了整車的能源效率。
 
IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管，電動(dòng)汽車用IGBT模塊的功率導(dǎo)電端子需要承載數(shù)百安培的大電流，對電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率有較高的要求，車載環(huán)境中還要承受一定的振動(dòng)和沖擊力，機(jī)械強(qiáng)度要求高。近年來，Si3N4陶瓷基板以其硬度高、機(jī)械強(qiáng)度高、耐高溫和熱穩(wěn)定性好、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、耐磨損、耐腐蝕等優(yōu)異的性能，在IGBT模塊封裝中得到青睞，并逐步替代Al2O3和AlN陶瓷基板。
 
（2）SiC MOSFET
 
隨著技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用需要的不斷延伸，第一、二代半導(dǎo)體的局限性逐漸體現(xiàn)出來，難以滿足高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化等使用需求。以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、載流子飽和漂移速度大等特點(diǎn)，其制作的電子器件可在300℃甚至更高溫度下穩(wěn)定工作。
 
在新能源汽車的核心電機(jī)驅(qū)動(dòng)中，采用SiC MOSFET器件比傳統(tǒng)Si IGBT帶來5%～10%續(xù)航提升，未來將會(huì)逐步取代Si IGBT。但SiC MOSFET芯片面積小，對散熱要求高，氮化硅陶瓷基板具備優(yōu)異的散熱能力和高可靠性，幾乎成為SiC MOSFET在新能源汽車領(lǐng)域主驅(qū)應(yīng)用的必選項(xiàng)。
 
目前已經(jīng)量產(chǎn)的Tesla model 3已經(jīng)大批量使用氮化硅陶瓷基板，應(yīng)對SiC MOSFET器件散熱。比亞迪e3.0平臺推出的全新一代SiC電控，采用了自主研發(fā)的全新SiC MOSFET電機(jī)控制模塊、高性能氮化硅陶瓷以及集成NTC傳感器，使整個(gè)電控單元功率密度提升近30%，電流最大支持840A，電壓最大1200V，電控最高效率達(dá)99.7%。

 

AMB陶瓷基板將成為中高端功率模塊散熱的主流工藝

 

陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。
 
AMB陶瓷基板是DBC工藝的進(jìn)一步發(fā)展，該工藝通過含有少量稀土元素的焊料來實(shí)現(xiàn)陶瓷基板與銅箔的連接，其鍵合強(qiáng)度高、可靠性好。
AMB工藝生產(chǎn)的陶瓷基板主要運(yùn)用在功率半導(dǎo)體模塊上作為硅基、碳化基功率芯片的基底，AMB技術(shù)實(shí)現(xiàn)了氮化鋁和氮化硅陶瓷與銅片的覆接，相比DBC襯板有更優(yōu)的熱導(dǎo)率、銅層結(jié)合力、可靠性等，可大幅提高陶瓷襯板可靠性，更適合大功率大電流的應(yīng)用場景，逐步成為中高端IGBT模塊散熱電路板的主要應(yīng)用類型。
 
此外，由于AMB氮化硅基板有較高熱導(dǎo)率，可將非常厚的銅金屬（厚度可達(dá)0.8mm）焊接到相對薄的氮化硅陶瓷上，載流能力較高。且氮化硅陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)與第三代半導(dǎo)體襯底SiC晶體接近，使其能夠與SiC晶體材料匹配更穩(wěn)定，因此成為SiC半導(dǎo)體導(dǎo)熱基板材料首選，特別在800V以上高端新能源汽車中應(yīng)用中不可或缺。
 
根據(jù)QY Research報(bào)告，2021年AMB陶瓷基板市場規(guī)模約為0.9億美元，預(yù)計(jì)2028年增長到3.8億美元，復(fù)合增長率高達(dá)22.7%。主要供應(yīng)商包括美國Rogers、德國Heraeus、日本電化株式會(huì)社（Denka）、日本同和（DOWA）。

 

小結(jié)

小米、華為、比亞迪直接入股陶瓷基板企業(yè)或是陶瓷粉體企業(yè)來看，他們很可能正在加快各自供應(yīng)鏈的完善腳步，這也從側(cè)面證實(shí)了陶瓷基板正是這些通訊、新能源汽車等領(lǐng)域的大哥們都極其重視的關(guān)鍵部件。

 

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